N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
ThunderFET
Package Type
PowerPAK 1212-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Height
1.12mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2 010,00
€ 0,67 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 522,55
€ 0,841 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 2 010,00
€ 0,67 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 522,55
€ 0,841 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
ThunderFET
Package Type
PowerPAK 1212-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.1 nC @ 10 V
Height
1.12mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.