SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C3M0075120D
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.7V
Maximum Power Dissipation
113.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 19 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
54 nC @ 4/15V
Width
5.21mm
Number of Elements per Chip
1
Height
21.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 462,00
€ 15,40 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 579,81
€ 19,327 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 462,00
€ 15,40 1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 579,81
€ 19,327 1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.7V
Maximum Power Dissipation
113.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 19 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
54 nC @ 4/15V
Width
5.21mm
Number of Elements per Chip
1
Height
21.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.