SFH 309 FA-4 ams OSRAM, ±12 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mm (T-1) package

RS tilauskoodi: 168-5553Tuotemerkki: ams OSRAMValmistajan osanumero.: SFH 309 FA-4
brand-logo
Näytä kaikki Phototransistors tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ams OSRAM

Spectrums Detected

Infrared

Typical Fall Time

7µs

Typical Rise Time

7µs

Number of Channels

1

Maximum Light Current

4500µA

Maximum Dark Current

1 (≤ 50)nA

Angle of Half Sensitivity

±12 °

Polarity

NPN

Number of Pins

2

Mounting Type

Through Hole

Package Type

3mm (T-1)

Dimensions

3.1 (Dia.) x 5.2mm

Collector Current

15mA

Diameter

3.1mm

Minimum Wavelength Detected

880nm

Maximum Wavelength Detected

1120nm

Spectral Range of Sensitivity

880 → 1120 nm

Collector Emitter Voltage

35 V

Height

5.2mm

Saturation Voltage

200mV

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

Phototransistor T-1 (3mm) Package

This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices. They have both clear or black plastic lenses, the diffused lenses being used for daylight filters. Suitable applications include; photointerrupters, industrial electronics and for control/drive circuits.

IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,302

1 kpl (2000 kpl/pussi) (ilman ALV)

€ 0,379

1 kpl (2000 kpl/pussi) (Sis ALV:n)

SFH 309 FA-4 ams OSRAM, ±12 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mm (T-1) package

€ 0,302

1 kpl (2000 kpl/pussi) (ilman ALV)

€ 0,379

1 kpl (2000 kpl/pussi) (Sis ALV:n)

SFH 309 FA-4 ams OSRAM, ±12 ° IR Phototransistor, Through Hole 2-Pin 3mm (T-1) package
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ams OSRAM

Spectrums Detected

Infrared

Typical Fall Time

7µs

Typical Rise Time

7µs

Number of Channels

1

Maximum Light Current

4500µA

Maximum Dark Current

1 (≤ 50)nA

Angle of Half Sensitivity

±12 °

Polarity

NPN

Number of Pins

2

Mounting Type

Through Hole

Package Type

3mm (T-1)

Dimensions

3.1 (Dia.) x 5.2mm

Collector Current

15mA

Diameter

3.1mm

Minimum Wavelength Detected

880nm

Maximum Wavelength Detected

1120nm

Spectral Range of Sensitivity

880 → 1120 nm

Collector Emitter Voltage

35 V

Height

5.2mm

Saturation Voltage

200mV

Alkuperämaa

Malaysia

Tuotetiedot

Phototransistor T-1 (3mm) Package

This family of NPN silicon phototransistors, from OSRAM Opto Semiconductors, are a range of 3mm (T-1) through-hole devices. They have both clear or black plastic lenses, the diffused lenses being used for daylight filters. Suitable applications include; photointerrupters, industrial electronics and for control/drive circuits.

IR Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja