N-Channel MOSFET, 43 A, 60 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK30E06N1,S1X(S
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
53 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Height
15.1mm
Series
U-MOSVIII-H
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,529
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,664
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
€ 0,529
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,664
1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
10
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 0,529 | € 5,29 |
| 50 - 90 | € 0,316 | € 3,16 |
| 100 - 240 | € 0,288 | € 2,88 |
| 250 - 490 | € 0,283 | € 2,83 |
| 500+ | € 0,278 | € 2,78 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
43 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
53 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Height
15.1mm
Series
U-MOSVIII-H
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.