STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V, 3-Pin DPAK STD25NF10LT4
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
STripFET II
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 5 V
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 13,00
€ 2,60 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 16,32
€ 3,263 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 13,00
€ 2,60 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 16,32
€ 3,263 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,60 | € 13,00 |
| 10 - 20 | € 2,20 | € 11,00 |
| 25 - 95 | € 2,15 | € 10,75 |
| 100 - 495 | € 1,70 | € 8,50 |
| 500+ | € 1,55 | € 7,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Series
STripFET II
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
100 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
6.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 5 V
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.