STMicroelectronics STripFET N-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STP36NF06L
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.15mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 49,95
€ 0,999 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 62,69
€ 1,254 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 49,95
€ 0,999 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 62,69
€ 1,254 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.6mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.15mm
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.