Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
Hip-247
Series
SCT
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.52Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
4.3V
Maximum Operating Temperature
200°C
Height
34.95mm
Length
15.75mm
Standards/Approvals
No
Width
5.15mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Tuotetiedot
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 9,50
€ 9,50 kpl (ilman ALV)
€ 11,92
€ 11,92 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 9,50
€ 9,50 kpl (ilman ALV)
€ 11,92
€ 11,92 kpl (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
SiC Power Module
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
Hip-247
Series
SCT
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.52Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Power Dissipation Pd
150W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
4.3V
Maximum Operating Temperature
200°C
Height
34.95mm
Length
15.75mm
Standards/Approvals
No
Width
5.15mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Tuotetiedot
The STMicroelectronics Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET has very tight variation of on-resistance vs. temperature. It has very high operating temperature capability.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
