Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET Modules
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
33A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-7
Series
SCT
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.105Ω
Channel Mode
Depletion
Tuotetiedot
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 19 600,00
€ 19,60 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 24 598,00
€ 24,598 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 19 600,00
€ 19,60 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 24 598,00
€ 24,598 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
1000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET Modules
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
33A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-7
Series
SCT
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.105Ω
Channel Mode
Depletion
Tuotetiedot
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
