Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET Modules
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
33A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-7
Series
SCT
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.105Ω
Channel Mode
Depletion
Tuotetiedot
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 45,20
€ 45,20 kpl (ilman ALV)
€ 56,73
€ 56,73 kpl (Sis ALV:n)
Standardi
1
€ 45,20
€ 45,20 kpl (ilman ALV)
€ 56,73
€ 56,73 kpl (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
1
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 49 | € 45,20 |
| 50 - 99 | € 36,90 |
| 100 - 249 | € 35,90 |
| 250 - 499 | € 35,00 |
| 500+ | € 34,10 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET Modules
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current Id
33A
Maximum Drain Source Voltage Vds
1200V
Package Type
H2PAK-7
Series
SCT
Mount Type
Surface
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance Rds
0.105Ω
Channel Mode
Depletion
Tuotetiedot
The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using STs Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
