Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
TO-252
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Width
6.2mm
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 69,30
€ 0,693 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 86,97
€ 0,87 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
100
€ 69,30
€ 0,693 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 86,97
€ 0,87 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Kela)
100
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,693 | € 6,93 |
| 500 - 990 | € 0,547 | € 5,47 |
| 1000+ | € 0,524 | € 5,24 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type P
Maximum Continuous Drain Current Id
12A
Maximum Drain Source Voltage Vds
30V
Package Type
TO-252
Series
STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
45mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
40W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
12nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
2.4mm
Length
6.6mm
Standards/Approvals
No
Width
6.2mm
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
