STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V, 3-Pin TO-220FP STF26NM60N
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220FP
Series
MDmesh
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Width
4.6mm
Height
16.4mm
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6,50
€ 6,50 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 8,16
€ 8,16 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
1
€ 6,50
€ 6,50 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 8,16
€ 8,16 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220FP
Series
MDmesh
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
165 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
60 nC @ 10 V
Width
4.6mm
Height
16.4mm
Tuotetiedot
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.