STMicroelectronics STGWT60H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Name: STMicroelectronics STGWT60H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
Brand: STMicroelectronics
SKU: 8294666
Availability: LimitedAvailability

RS tilauskoodi: 829-4666Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STGWT60H65DFB

Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Tekninen Dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Package Type

TO-3P

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

Automotive Standard

Tuotetiedot

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.

Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Saatat olla kiinnostunut

onsemi FGA20N120FTDTU IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3PN, Through HoleTuotemerkki: onsemi

€ 6,02kpl (ilman ALV)

Näytä kaikki IGBTs tuotteet

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 5,40

€ 5,40 kpl (ilman ALV)

€ 6,78

€ 6,78 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGWT60H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Valitse pakkaustyyppi

Standardi

€ 5,40

€ 5,40 kpl (ilman ALV)

€ 6,78

€ 6,78 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STGWT60H65DFB, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.

Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Saatat olla kiinnostunut

onsemi FGA20N120FTDTU IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3PN, Through HoleTuotemerkki: onsemi

€ 6,02kpl (ilman ALV)

Tekninen Dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Package Type

TO-3P

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

Automotive Standard

Tuotetiedot

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.

Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Saatat olla kiinnostunut

onsemi FGA20N120FTDTU IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3PN, Through HoleTuotemerkki: onsemi

€ 6,02kpl (ilman ALV)