Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.8mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 7,70
€ 3,85 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,66
€ 4,832 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
€ 7,70
€ 3,85 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,66
€ 4,832 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
2
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,85 | € 7,70 |
| 20 - 98 | € 3,40 | € 6,80 |
| 100 - 198 | € 3,00 | € 6,00 |
| 200+ | € 2,60 | € 5,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.8mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
