Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.8mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 36,50
€ 3,65 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 45,81
€ 4,581 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
10
€ 36,50
€ 3,65 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 45,81
€ 4,581 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Kela)
10
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 3,65 | € 7,30 |
| 20 - 48 | € 3,25 | € 6,50 |
| 50 - 98 | € 2,95 | € 5,90 |
| 100+ | € 2,80 | € 5,60 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK
Series
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
3.9mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
117nC
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
4.8mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
