Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK-2
Series
STH200
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Power Dissipation Pd
340W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
93nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 6,80
€ 6,80 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 8,53
€ 8,53 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
1
€ 6,80
€ 6,80 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 8,53
€ 8,53 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Kela)
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
180A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
H2PAK-2
Series
STH200
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Power Dissipation Pd
340W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
93nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
