Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
16.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
5W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
0.95mm
Length
5.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 72,50
€ 1,45 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 90,99
€ 1,82 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
€ 72,50
€ 1,45 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 90,99
€ 1,82 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Kela)
50
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 1,45 | € 7,25 |
| 250 - 495 | € 1,10 | € 5,50 |
| 500+ | € 0,982 | € 4,91 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
60A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
PowerFLAT
Series
STripFET H7
Mount Type
Surface
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance Rds
16.5mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
5W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
25nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
0.95mm
Length
5.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
