Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
90A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Package Type
TO-220
Series
STripFET H7
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
200W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
96nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 15,00
€ 3,00 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 18,82
€ 3,765 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 15,00
€ 3,00 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 18,82
€ 3,765 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
5
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,00 | € 15,00 |
| 50 - 120 | € 2,75 | € 13,75 |
| 125+ | € 2,25 | € 11,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
90A
Maximum Drain Source Voltage Vds
80V
Package Type
TO-220
Series
STripFET H7
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.3mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
200W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
96nC
Forward Voltage Vf
1.1V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
15.75mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
