Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
75V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
310W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
160nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 50,00
€ 2,50 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 62,75
€ 3,138 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
20
€ 50,00
€ 2,50 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 62,75
€ 3,138 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Putki)
20
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 2,50 | € 5,00 |
| 100 - 198 | € 1,90 | € 3,80 |
| 200+ | € 1,65 | € 3,30 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
120A
Maximum Drain Source Voltage Vds
75V
Package Type
TO-220
Series
STripFET II
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
8mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
310W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
160nC
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Operating Temperature
175°C
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
