Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.2mΩ
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
127nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
€ 76,00
€ 3,80 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 95,38
€ 4,769 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
20
€ 76,00
€ 3,80 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 95,38
€ 4,769 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tuotantopakkaus (Putki)
20
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,80 | € 7,60 |
| 100 - 198 | € 3,40 | € 6,80 |
| 200+ | € 2,90 | € 5,80 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
Tekninen Dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
110A
Maximum Drain Source Voltage Vds
100V
Package Type
TO-220
Mount Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
4.2mΩ
Maximum Power Dissipation Pd
250W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs
20V
Forward Voltage Vf
1.2V
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
127nC
Maximum Operating Temperature
175°C
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Tuotetiedot
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
